FALCO 膜厚2Dマッピングシステム

FALCO概要

FALCO 膜厚2Dマッピングシステムは、おもにガラスや半導体ウェハ上に形成された薄膜の厚さ分布を⾼速に、また⾼い分解能で測定することのできるシステムです。条件にもよりますが、数nmの薄膜からμm オーダーの⽐較的厚い領域（Si 換算）まで、⾼い精度で値を確定することができます。

また、多層膜にも対応。酸化膜、窒化膜ほか SOI (Silicon on Insulator)などの各層の厚さがウェハ⾯内にどのように分布しているかを即座に⾼精細に検査することができるので、出荷時の全数検査から成膜プロセスのモニタリング‧研究開発まで、幅広くお使いいただけます。

装置外観

W2100㎜ x d1420㎜ x h2350㎜（シグナルタワー突起部を含めた場合2525㎜）

FAL-01 model.VIS300-SH
300mmウェハ対応

主な特徴

• ● 高速ウェハ全面マッピング (各種ウェハ径対応可能)
• ● 空間分解能0.2mm、20umまでアップグレード可能
• ● 多層膜同時測定 (4層以上同時フィッティング可能)
• ● 膜厚測定範囲 (数nm～数um：Si換算)

FALCO PDFカタログ

お客様のサンプル測定を承ります。詳しくはお問い合わせください。

本装置は「分光干渉法」と呼ばれる原理に基づき、膜表面の分光反射率を測定することで、膜の厚さを確定します。左図における界面S1における反射光R1と、S0における反射光R0の光路差(厚さdの2倍)に起因する干渉が光の波長λによって異なることを利用しています。

イメージング分光器

測定イメージ

本装置では、サンプル(ウェハ)表面の分光反射率を測定するために「イメージング分光器」と呼ばれるセンサを利用しています。分光センサは同時に1ポイントの分光データを取得するものが一般的ですが、イメージング分光器は同時に1ライン分の分光データを取得することができます。この測定ラインを順次移動(スキャン)させることで、高速かつ高精細にサンプル全面を検査することができます。

• ● SOI製品ウェハ及びダブルSOI製品ウェハ(4層)の膜厚均一性評価
• ● SOIウェハプロセス工程中ウェハ：剥離直後(粗面)、酸化SOIウェハ(3層)等
• ● デバイスプロセス：CMOSのSi膜厚調整プロセス中の薄膜膜厚測定
• ● イメージセンサーおよびその他デバイス後工程の薄膜化工程(例：ハイブリッドボンディング、Si厚300nm-7000nm)
• ● CMP後の絶縁膜膜厚測定